磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。电子在电场E的作用下，在飞向基片过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，Ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。
磁控溅射阴极是指用于承载待溅射的靶材，主要包括以下部分：阳极【屏蔽罩】、阴极模块【靶材压条、隔膜压条、隔膜板、阴极体等】、磁路模块【磁钢和磁轭】、布气系统、安装法兰、水电气阴极外壳外接系统等。
磁控溅射阴极是真空溅射设备中最重要的核心部件之一，其性能表现显著影响所沉积薄膜的质量和效率。
平衡态磁控阴极内外磁钢的磁通量大致相等，两极磁力线闭合于靶面，很好地将电子/等离子体约束在靶面附近，增加了碰撞几率，提高了离化效率，因而在较低的工作气压和电压下就能起辉并维持辉光放电，靶材利用率相对较高。但由于电子沿磁力线运动主要闭合于靶面，基片区域所受离子轰击较小。
非平衡磁控溅射技术，即让磁控阴极外磁极磁通大于内磁极，两极磁力线在靶面不完全闭合，部分磁力线可沿靶的边缘延伸到基片区域，从而部分电子可以沿着磁力线扩展到基片，增加基片区域的等离子体密度和气体电离率。
不管平衡还是非平衡，若磁铁静止，其磁场特性决定了一般靶材利用率小于30%。为增大靶材利用率，可采用旋转磁场。但旋转磁场需要旋转机构，同时溅射速率要减小。旋转磁场多用于大型或贵重靶。对于小型设备和一般工业设备，多用磁场静止靶源。
•可选：角度调节，靶基距调节，防交叉污染环匀气环，手动/气动挡板，旋转磁场
利用定向冷却水流和多极磁铁阵列，使用卡箍夹紧靶材可在更高功率密度下工作
资料来源：百度百科，深圳速普仪器，北京众诚新材，朗为科技，苏州微科鼎镀膜，深圳万德泉，中科纳微等
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